journal of semiconductors杂志-欧洲杯买球平台

半导体学报

刊名：半导体学报chinesejournalofsemiconductors

主办：中国科学院半导体研究所;中国电子学会

周期：月刊

出版地：北京市

语种：中英开本：大16开

issn0253-4177

cn11-1870/tn

邮发代号2-184

创刊年：1980中国期刊方阵来源刊

aspt来源刊

中国期刊网来源刊

2004年度核心期刊

《半导体学报》期刊介绍：

本报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被ei、ca、sa等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。

《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的cad设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(ei)，化学文摘(ca)，英国科学文摘(sa)，俄罗斯文摘杂志(рж)）收录。

《半导体学报》常见范例：

microtrenchingeffectofsicicpetchinginsf_6/o_2plasma---丁瑞雪杨银堂韩茹

modelingandanalysisofpowerextractioncircuitsforpassiveuhfrfidapplications---樊勃戴宇杰张小兴吕英杰

designofa16grayscales320×240pixelsoled-on-silicondrivingcircuit---黄苒王晓慧王文博杜寰韩郑生

anovellow-voltageoperationalamplifierforlow-powerpipelinedadcs---范明俊任俊彦过瑶李宁叶凡李联

5.2ghzvariable-gainamplifierandpoweramplifierdriverforwlanieee802.11atransmitterfront-end---张雪莲颜峻石寅代伐

alow-powermonolithiccmostransceiverfor802.11bwirelesslans---李伟男夏玲琍郑永正黄煜梅洪志良

afullyintegratedbpskamplitudeandspectrumtunabletransmitterforir-uwbsystem---夏玲琍黄煜梅洪志良

a3.1-4.8ghzcmosreceiverformb-ofdmuwb---杨光姚望尹江伟郑仁亮李巍李宁任俊彦

a10-20gb/spam2-4transceiverin65nmcmos---高茁杨袆钟石强杨旭黄令仪胡伟武

designandmeasurementofa53ghzbalancedcolpittsoscillator---赵衍王志功李伟章丽

a0.18μmcmosfluorescentdetectorsystemforbio-sensingapplication---刘楠陈国平洪志良

designandanalysisofauwblow-noiseamplifierinthe0.18μmcmosprocess---杨袆高茁杨丽琼黄令仪胡伟武

designandfabricationofanembeddedwire-gridnanograting---周立兵朱伟

monolithicwhiteledbasedonal_xga_1-xn/inyga_1-yndbrresonant-cavity---陈宇黄黎蓉朱珊珊

effectoftotalionizingdoseradiationonthe0.25μmrfpdsoinmosfetswiththingateoxide---刘梦新韩郑生毕津顺范雪梅刘刚杜寰

characterizationofthetriple-gateflashmemoryendurancedegradationmechanism---曹子贵孙凌李嘉秩

ultrahigh-speedinp/ingaasdhbtswithf_tof203ghz---苏永波金智程伟刘新宇徐安怀齐鸣

anovelgaacfinfettransistor：deviceanalysis,3dtcadsimulation,andfabrication---肖德元王曦袁海江俞跃辉谢志峰季明华

improvedopticalperformanceofgangrownonpatteredsapphiresubstrate---姚光锐范广涵李述体章勇周天民

solutionofthetime-dependentschrdingerequationwithabsorbingboundaryconditions---陈志东张进宇余志平