半导体技术

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半导体技术杂志-欧洲杯买球平台

简介:《半导体技术》杂志是由中国电子科技集团公司第十三研究所主办的北大期刊,是一本具有一定知名度的月刊。它的出版地区是河北,国际刊号:1003-353x,国内刊号:13-1109/tn。

  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 国内刊号:13-1109/tn
  • 起订时间:
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 国际刊号:1003-353x
  • 发行地区:
  • 全年定价:¥408.00
  • 审核时间:1-3个月
  • 业务类型:期刊征订
栏目设置:
  • 趋势与展望
  • 半导体集成电路
  • 半导体器件
  • 半导体制备技术
  • 先进封装技术
服务流程:
学术服务,安心快捷

杂志介绍

半导体技术

刊名:半导体技术semiconductortechnology

主办:中国半导体行业协会;半导体专业情报网;中国电子科技集团公司第十三所

周期:月刊

出版地:河北省石家庄市

语种:

中文开本:大16开

issn1003-353x

cn13-1109/tn

邮发代号18-65

创刊年:1976

aspt来源刊

中国期刊网来源刊

2004年度核心期刊

《半导体技术》杂志信息:

《半导体技术》是为迅速发展的中国半导体制造业服务的权威性技术刊物,也是与中国半导体产业共同成长并能坚持与国际同步的中国半导体业内最权威的国家一级刊物之一,可以毫不夸张的说它就是整个中国半导体产业发展的历史缩影。《半导体技术》的主办方之一的中国半导体行业协会是中国最有影响力的半导体行业协会组织,而另一个主办单位中国电子科技集团第十三研究所是中国国内最大、最权威的半导体研究所。《半导体技术》培育了历代中国半导体和基础电子制造业的工程师和技术管理人员读者,同时还全力帮助有关客户被正确地推荐到应用、采购有关的设备和产品的人士面前。自1976年创刊以来,以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,对我国半导体事业发展发挥了重要作用。“向读者提供更好半导体资讯,为半导体客户开拓更大商业市场”,是《半导体技术》的追求,本刊将一如既往的坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息,为客户带来更多的商机!

《半导体技术》作为中国电子业设计、生产、开发应用的主导刊物,栏目主要设有:中国半导体发展趋势论坛(综述):诚邀《半导体技术》的专家顾问发表精辟观点和看法;政府主管部门领导提出政策投资建议。芯片生产工艺技术:力求突出芯片制造新工艺、前道工序流程主流技术等。ic封装及测试:国外先进封装技术如微间距打线技术;bga;叠合式/三维封装;quad封装等。以及ic测试、系统级测试等。新材料新设备:对半导体支撑材料如纳米材料、环氧膜塑料、硅材料、低介电常数材料、化合物等及8-12英寸制造设备、后工序设备、试验设备等加以阐述。全国集成电路产业介绍:图文并茂的介绍中国集成电路产业发展较快的地方和基地情况,以利各方参考。企业:(采访追明星踪)针对国内外半导体行业的主流企业进行针对性访问和系统介绍。为供需双方提供具有参考价值的范本。新品之窗:对半导体设计与材料设备的新产品予以相关介绍和推荐设计与应用:嵌入式系统、pld/fpga设计;通信、网络技术、dsp和多媒体应用;电源器件、数字/模拟ic、消费类/工业类电子器件等应用技术业界动态:综合报道世界半导体行业最新动态会议报道:专门报道行业相关会议,传达精神,指导工作。

《半导体技术》杂志荣誉:

杂志是2008年北大核心期刊,全国中文核心期刊。分别于1992年、1996年、2000年、2004年、2008年获得北大中文核心期刊荣誉。该刊被以下数据库收录:ca化学文摘(美)(2009)、sa科学文摘(英)、2009)、cbst科学技术文献速报(日)(2009)、pж(aj)文摘杂志(俄)(2009)、中国科学引文数据库(cscd—2008)。

《半导体技术》杂志稿件要求:

1.内容可涵盖半导体材料动向、开发设计、技术应用等;

2.主题鲜明,结构严谨,字迹清楚,图表齐备;

3.投稿请采用电子文档,字数在5000字以内,文件格式为文本文件、word文件、pagemaker文件或wps文件,要求图文整齐、清楚;

4.打印稿请同时邮寄软盘(wordorwps)或通过e-mail投寄;

5.一经刊出,即付稿酬,非作者要求,来稿一律不退,投稿后两个月未收到编辑部录用通知的稿件,作者可自行处理;

6.文章切勿一稿多投。

《半导体技术》常见范例:

mos结构电容高频c-v特性的应用---熊海孔学东章晓文

pmosfet动态nbti效应的研究---宋芳芳解江李斌章晓文

考虑瞬态效应的缓变结hbt性能分析---熊德平周守利罗莉唐新桂王银海

mg-al合金化学机械抛光中表面状态的研究---张研刘玉岭牛新环梁蒲肖文明阎宝华

宽带hbtvco单片电路的设计和制作---陈凤霞蔡文胜戚伟李远鹏

8位cmos双通道流水线adc仿真设计---吴衍成立王鹏程杨宁王改王振宇

130nmnmos器件的单粒子辐射电荷共享效应---陈超吴龙胜韩本光方勇刘佑宝

用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行c-v剖面分析(英文)---徐翠芹popadicmilonanverl.k.茹国平

基于集成电路过电压保护设备的研制---卢建华吴光彬吴晓男

sigehbt器件的研究设计---米保良吴国增

新型激光二极管列阵光束整形方法---吴芃王翠鸾韩淋刘媛媛李伟冯小明刘素平马骁宇

6~18ghz超宽带微带均衡器设计与实现---刘亚男何庆国郝金中王抗旱

带有本征薄层的异质结太阳能电池---刘艳红刘爱民

读卡器末级功率放大器的设计与实现---南敬昌梁立明刘影

欠键合/过键合与功率设置及温度关系的研究---张亚楠韩雷

soi-ligbt寄生晶体管电流增益的研究---陈越政钱钦松孙伟锋

asic物理设计中金属层数对芯片的影响---柏璐聂红儿李莉

飞思卡尔拓展大学合作计划,共绘人才培养美好蓝图---

sio_2/ceo_2混合磨料对微晶玻璃cmp效果的影响---孙增标刘玉岭刘效岩闫宝华张研

级联光纤环的空间全偏振态统计退偏特性研究---彭蕾王春华应可捷

doherty高效功率放大器的设计---吴毅威唐宗熙张彪

碱性条件下硬盘基板两步抛光法的实验研究---孙业林刘玉岭刘效岩魏恒谢竹石

栅氧化层制程对ic产品可靠性的影响---曾梁英阮玮玮胡子信李明

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